GC/MS:GPC-GC/MS-QP2010(鞄津製作所)
Column 1:不活性化フューズドシリカチューブ(5m,0.53mm)+DB-5(30m,0.25mmI.D.,0.25um)
Column 2:不活性化フューズドシリカチューブ(5m,0.53mm)+Rtx-200(30m,0.25mmI.D.,0.25um)
GC
気化室:120℃
注入法:Splitless(サンプリング時間:7min)
注入量:280μL(サンプリング量:10μL)
キャリアガス:He(48.8cm/sec,線速度一定)
カラム温度:82℃(5min)→8℃/min→300℃(27.75min)
MS
インターフェース温度:250℃
イオン源温度:200℃ イオン化法:EI
測定モード:SCAN (m/z 69〜430、0.5sec/scan) |